2ED020I12-FI门驱动器-技术资料

品牌：	Infineon 英飞凌
型号：	2ED020I12-FI
批号：	21+
数量：	12000
制造商：	Infineon
产品种类：	门驱动器
RoHS：	是
安装风格：	SMD/SMT
封装 / 箱体：	PG-DSO-18
激励器数量：	2 Driver
输出端数量：	2 Output
输出电流：	1 A
配置：	Inverting, Non-Inverting
上升时间：	20 ns
下降时间：	20 ns
电源电压-最小：	14 V
电源电压-最大：	18 V
传播延迟—最大值：	130 ns
工作电源电流：	3.9 mA
Pd-功率耗散：	1.4 W
最小工作温度：	- 40 C
最大工作温度：	+ 150 C
系列：	2ED-FI Enhanced
输出电压：	1.7 V
逻辑类型：	CMOS, TTL
关闭：	Yes
湿度敏感性：	Yes
工作电源电压：	14 V to 18 V
零件号别名：	2ED020I12FIXUMA1 SP000265782 2ED020I12FIXUMA1
单位重量：	530 mg

2ED020112-FI是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电或通过自举二极管和电容器供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020112 Fi还配备了专用的停机输入。Alogic输入与3.3 Y和5 V TTL兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化高频应用中的使用。两个驱动器均设计用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1.2 kV。此外，还提供了通用运算放大器和通用比较器，可用于电流测量或过电流检测。