FQD2N80TM分立半导体产品 单 FET-技术资料
技术参数品牌：ON 安森美型号：FQD2N80TM封装：TO252批号：20+数量：10000类别：分立半导体产品 单 FET，MOSFET制造商：onsemi系列：QFET®Product Status：停产FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：800 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时...
技术参数
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型号： | FQD2N80TM |
| 封装： | TO252 |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 10000 |
| 类别： | 分立半导体产品 单 FET，MOSFET |
| 制造商： | onsemi |
| 系列： | QFET® |
| Product Status： | 停产 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 1.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 15 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 550 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用ON Semiconductor的专有平面技术和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通状态电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器
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