技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NUF6410MNT1G |
封装: | DJSE |
批号: | 202206 |
数量: | 19972 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | ESD 抑制器/TVS 二极管 |
RoHS: | 是 |
极性: | Unidirectional |
工作电压: | 5 V |
通道数量: | 6 Channel |
端接类型: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DFN-12 |
击穿电压: | 6 V |
Vesd - 静电放电电压触点: | 8 kV |
Cd - 二极管电容 : | 9 pF |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 85 C |
系列: | NUF6410 |
单位重量: | 9.810 mg |
功能/优点:
每个通道上的±8.0 kV ESD保护(IEC61000−4−2等级4,接触放电)
100和7 pF的R/C值可提供卓越的S21性能
250 MHz f3dB和−20 dB阻带衰减特性从800兆赫到3.0兆赫
DFN封装中的集成EMI/ESD系统解决方案卓越的成本、系统可靠性和空间节约
这是一个无铅设备
应用:
LCD和相机数据线的EMI滤波
输入/输出端口和键盘的EMI滤波和保护