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NUF6410MNT1G抑制器/TVS 二极管-技术资料

技术参数品牌:ON/安森美型号:NUF6410MNT1G封装:DJSE批号:202206数量:19972制造商:ON Semiconductor产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管RoHS:是极性:Unidirectional工作电压:5 V通道数量:6 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-12击穿电压:6 VVesd - 静电放电电压触点:8 kVCd - 二极管电...

NUF6410MNT1G.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:NUF6410MNT1G
封装:DJSE
批号:202206
数量:19972
制造商:ON Semiconductor
产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS:
极性:Unidirectional
工作电压:5 V
通道数量:6 Channel
端接类型:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-12
击穿电压:6 V
Vesd - 静电放电电压触点:8 kV
Cd - 二极管电容 :9 pF
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:NUF6410
单位重量:9.810 mg
NUF6410MN是一款具有集成ESD保护功能的六通道(C-R-C)Pi型EMI滤波器阵列。它的典型分量值R=100 2和C=7 pF可提供250 MHz的截止频率和从800 MHz到3.0 GHz的大于-20 dB的顶带衰减。这种性能使该部件非常适合在必须将无线干扰降至最低的应用中数据速率高达167 Mbps的并行接口。指定的衰减范围非常有效地最大限度地减少了2G/3G、GPS、蓝牙@和WLAN信号的干扰。NUF6010MU有1.35 mmx 3.0 mm DFN12表面安装封装的薄型12引脚。

功能/优点:

  • 每个通道上的±8.0 kV ESD保护(IEC61000−4−2等级4,接触放电)

  • 100和7 pF的R/C值可提供卓越的S21性能

  • 250 MHz f3dB和−20 dB阻带衰减特性从800兆赫到3.0兆赫

  • DFN封装中的集成EMI/ESD系统解决方案卓越的成本、系统可靠性和空间节约

  • 这是一个无铅设备

应用:

  • LCD和相机数据线的EMI滤波

  • 输入/输出端口和键盘的EMI滤波和保护