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DS1245Y-100存储器集成电路(IC)-型号参数

技术参数品牌:DALLAS型号:DS1245Y-100封装:DIP32批号:21+数量:19750RoHS:是产品种类:电子元器件最小工作温度:-20C最大工作温度:90C最小电源电压:3V最大电源电压:8V长度:6.1mm宽度:3.1mm高度:2.7mmDS1245 1024k非易失性SRAM是1048576位、完全静态、非易失的SRAM,组织为131072个字乘8位。每个完整的NV SRAM都...

DS1245Y-100.png

技术参数

品牌:DALLAS
型号:DS1245Y-100
封装:DIP32
批号:21+
数量:19750
RoHS:
产品种类:电子元器件
最小工作温度:-20C
最大工作温度:90C
最小电源电压:3V
最大电源电压:8V
长度:6.1mm
宽度:3.1mm
高度:2.7mm
DS1245 1024k非易失性SRAM是1048576位、完全静态、非易失的SRAM,组织为131072个字乘8位。每个完整的NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路,该电路不断监测VCC的超差情况。当出现这种情况时,锂能源会自动开启,并无条件启用写保护,以防止数据损坏。DIP封装DS1245器件可以用来代替直接符合流行的字节32引脚DIP标准的现有128k x 8静态RAM。PowerCap模块封装中的DS1245设备可直接表面安装,通常与DS9034PC PowerCap配对,形成完整的非易失性SRAM模块。可以执行的写入周期的数量没有限制,微处理器接口也不需要额外的支持电路。