尖货爆款
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | VNS1NV04DPTR-E |
| 封装： | SO-8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 58888 |
| 类别： | 集成电路（IC） PMIC - 配电开关，负载驱动器 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | OMNIFET II™, VIPower™ |
| 开关类型： | 通用 |
| 输出数： | 2 |
| 比率 - 输入:输出： | 1：1 |
| 输出配置： | 低端 |
| 输出类型： | N 通道 |
| 接口： | 开/关 |
| 电压 - 负载： | 36V（最大） |
| 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)： | 不需要 |
| 电流 - 输出（最大值）： | 1.7A |
| 导通电阻（典型值）： | 250 毫欧（最大） |
| 输入类型： | 非反相 |
| 故障保护： | 限流（固定），超温，过压 |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
•线性电流限制
•热停堆
•短路保护
•集成夹具
•输入引脚的低电流
•通过输入引脚的诊断反馈
•ESD保护
•直接访问功率mosfet的栅极（模拟驱动）
•与标准功率mosfet兼容
•符合2002/95/EC欧洲标准指令
描述
VNS1NV04DP-E是由两个单片OMNIFET II芯片封装在标准SO-8封装。OMNIFET II是由ST微电子VIPower设计™ 米0-3技术：用于替换直流至50KHz的标准功率MOSFET应用。内置热关机，线性电流限制和过电压钳位保护芯片在恶劣环境中的应用。故障反馈可以通过监控输入引脚处的电压。
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