| 收藏本站
全国销售服务热线:400-900-8690

未查到所需型号可联系 在线客服

NTR5103NT1G分立半导体产品晶体管-行业资讯

技术参数品牌:ON型号:NTR5103NT1G封装:N/A批号:N/A数量:27320类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:onsemiFET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):60 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5 欧...

NTR5103NT1G.png

技术参数

品牌:ON
型号:NTR5103NT1G
封装:N/A
批号:N/A
数量:27320
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:onsemi
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5 欧姆 @ 240mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.81 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):40 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):300mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

特征:

•低RDS(打开)

•占地面积小的表面安装封装

•沟槽技术

•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的

应用:

•低侧负载开关

•电平移位电路

•直流-直流转换器

•便携式应用程序,如DSC、PDA、手机等