技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTR5103NT1G |
封装: | N/A |
批号: | N/A |
数量: | 27320 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | onsemi |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 260mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.5 欧姆 @ 240mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.81 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 40 pF @ 25 V |
功率耗散(最大值): | 300mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
特征:
•低RDS(打开)
•占地面积小的表面安装封装
•沟槽技术
•这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的
应用:
•低侧负载开关
•电平移位电路
•直流-直流转换器
•便携式应用程序,如DSC、PDA、手机等