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IPB80N04S4-03集成电路(IC)-行业资讯

技术参数品牌:Infineon(英飞凌)型号:IPB80N04S4-03封装:NA批号:23+数量:5000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:80 ARds On-漏源导通电阻:3.3 mOhmsVgs - 栅...

IPB80N04S4-03.png

技术参数

品牌:Infineon(英飞凌)
型号:IPB80N04S4-03
封装:NA
批号:23+
数量:5000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:80 A
Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:51 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:94 W
配置:Single
资格:AEC-Q101
高度:4.4 mm
长度:10 mm
系列:OptiMOS-T2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:9.25 mm
下降时间:16 ns
上升时间:12 ns
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:14 ns
零件号别名:IPB80N04S403ATMA1 SP000671628 IPB8N4S43XT IPB80N04S403ATMA1
单位重量:4 g

特征

•N通道-增强模式

•AEC合格

•MSL1最高260°C峰值回流

•175°C工作温度

•绿色产品(符合RoHS标准)

•100%雪崩测试