技术参数
品牌: | Infineon(英飞凌) |
型号: | IPB80N04S4-03 |
封装: | NA |
批号: | 23+ |
数量: | 5000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-263-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 3.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 51 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 94 W |
配置: | Single |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 4.4 mm |
长度: | 10 mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 9.25 mm |
下降时间: | 16 ns |
上升时间: | 12 ns |
典型关闭延迟时间: | 14 ns |
典型接通延迟时间: | 14 ns |
零件号别名: | IPB80N04S403ATMA1 SP000671628 IPB8N4S43XT IPB80N04S403ATMA1 |
单位重量: | 4 g |
特征
•N通道-增强模式
•AEC合格
•MSL1最高260°C峰值回流
•175°C工作温度
•绿色产品(符合RoHS标准)
•100%雪崩测试