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IPD50P04P4-13分立半导体产品晶体管-行业资讯

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD50P04P4-13封装:TO-252批号:21+数量:5000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:12.6 mOhmsVgs...

IPD50P04P4-13.png

技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IPD50P04P4-13
封装:TO-252
批号:21+
数量:5000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:39 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:58 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
配置:Single
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:OptiMOS-P2
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:6.22 mm
下降时间:28 ns
上升时间:10 ns
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:17 ns
零件号别名:IPD5P4P413XT SP000840204 IPD50P04P413ATMA1
单位重量:330 mg

特征

•P通道-正常水平-增强模式

•AEC合格

•MSL1最高260°C峰值回流

•175°C工作温度

•绿色包装(符合RoHS标准)

•100%雪崩测试




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可以烧录程序吗?

可以替代国产芯片吗