技术参数
品牌: | FAIRCHILD |
型号: | FDS6898A |
封装: | SOP8 |
批号: | 14+PB |
数量: | 152 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SO-8 |
通道数量: | 2 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 9.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 14 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 12 V |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2 W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | PowerTrench |
高度: | 1.75 mm |
长度: | 4.9 mm |
系列: | FDS6898A |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
类型: | MOSFET |
宽度: | 3.9 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
正向跨导 - 最小值: | 47 S |
下降时间: | 16 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 15 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 34 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
零件号别名: | FDS6898A_NL |
单位重量: | 187 mg |
这些N沟道逻辑Lewel MOSFET是通过ONSemiconductor的建议PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别优化,以最大限度地减少导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
这些设备非常适合低电压和电池供电的应用场合,在这些场合需要低的在线功率损耗和快速开关。
特征:
9.4安,20伏RDS(开)=14毫瓦,VGS=4.5伏RDS(开启)=18 mW@VGS=2.5 V
低栅极电荷(典型值为16 nC)
高性能沟槽技术RDS低(打开)
高功率和高电流处理能力