MGSF1N03LT1G电源管理电路-行业资讯
技术参数品牌：ON型号：MGSF1N03LT1G封装：SOT-23批号：22+数量：10000制造商：ON Semiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOT-23-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30 VId-连续漏极电流：2.1 ARds On-漏源导通电阻：100 mOhmsVgs -...
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | MGSF1N03LT1G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 100 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 0.69 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | MGSF1N03L |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 下降时间： | 8 ns |
| 上升时间： | 1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns |
| 典型接通延迟时间： | 2.5 ns |
| 单位重量： | 8 mg |
这些微型表面贴装MOSFET低RpS（on）确保了最小的功率损耗并节约了能量，使这些器件更适合用于空间敏感的电源管理电路。典型应用是便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话。
尖货爆款
海量现货 种类齐全
快速报价 闪电出库
原厂渠道 原装正品
优势价格 节省成本
专属客服 FAE支持
