FDN337N场效应晶体管-行业资讯
技术参数品牌：ON/安森美型号：FDN337N封装：SOT-23批号：22+数量：99999制造商：ON Semiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SSOT-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30 VId-连续漏极电流：2.2 ARds On-漏源导通电阻：65 mOhmsVgs - 栅极-...
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FDN337N |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 99999 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SSOT-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 65 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW (1/2 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.12 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | FDN337N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 13 S |
| 下降时间： | 10 ns |
| 上升时间： | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 17 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4 ns |
| 零件号别名： | FDN337N_NL |
| 单位重量： | 36 mg |
SuperSoTTM-3 N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用ON Semiconductor专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合将导通电阻降至最低。这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，这些电路需要在非常小的出口表面安装封装中快速切换和低在线功率损耗。
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