技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NVJS4151PT1G |
封装: | SC70-6 |
批号: | 2019+PB |
数量: | 3000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-363-6 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 3.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 55 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 10 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.2 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 12 S |
下降时间: | 4.2 us |
上升时间: | 1.7 us |
典型关闭延迟时间: | 2.7 us |
典型接通延迟时间: | 850 ns |
单位重量: | 7.500 mg |
特征:
领先的低RDS(ON)沟槽技术,延长电池寿命
SC−88小型外形(2x2 mm),用于最大电路板利用率,与SC−70−6相同
用于ESD保护的栅极二极管
AEC−Q101合格且具备PPAP能力
这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的
应用:
高侧负载开关
手机、计算机、数码相机、MP3和PDA