技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTS4001NT1G |
封装: | SOT323 |
批号: | 22+ |
数量: | 60000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-70-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 270 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 800 mV |
Qg-栅极电荷: | 0.9 ns |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 330 mW (1/3 W) |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 2.1 mm |
系列: | NTS4001N |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 1.24 mm |
正向跨导 - 最小值: | 80 mS |
下降时间: | 82 ns |
上升时间: | 23 ns |
典型关闭延迟时间: | 94 ns |
典型接通延迟时间: | 17 ns |
单位重量: | 6.200 mg |
特征
•用于快速切换的低栅极电荷
•占地面积小−比TSOP−6小30%
•ESD保护门
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力−NVS4001N
•这些设备不含铅,符合RoHS标准
应用
•低侧负载开关
•锂离子电池供电设备-手机、PDA、DSC
•降压转换器
•电平转换超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大限度评级仅为压力评级。高于推荐值的功能操作操作条件并不隐含。长期暴露于高于推荐的操作条件可能会影响设备的可靠性。
1.表面安装在FR4板上,使用1平方英寸的焊盘尺寸(Cu面积=1.127平方英寸[1盎司],包括迹线)。
2.脉冲测试:脉冲宽度≤300 s,占空比≤2%。
3.开关特性与工作结温度无关。