IPC50N04S5L5R5ATMA1英飞凌功率器件中文资料
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPC50N04S5L5R5ATMA1封装:TDSON-8批号:21+数量:9536描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)原厂标准交货期:20 周详细描述:表面贴装型-N-通道-4...

技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
封装: | TDSON-8 |
批号: | 21+ |
数量: | 9536 |
描述: | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 20 周 |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-40V-50A(Tc)-42W(Tc)-PG-TDSON-8-33 |
数据列表: | IPC50N04S5L-5R5; |
标准包装: | 5,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ |
其它名称: | IPC50N04S5L5R5ATMA1TR |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 13µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 23nC @ 10V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1209pF @ 25V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 42W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-33 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |