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MMBT3904TT1G安森美NPN通用晶体管规格参数
MMBT3904TT1G是ON Semiconductor生产的一款NPN通用晶体管，适用于低功耗放大器和开关应用。它是一个小型表面贴装三极管，封装为SOT-23封装。MMBT3904TT1G晶体管的最大功率耗散为350mW，最大集电极电压为40V，最大集电极电流为200mA，最大发射极电压为60V。它具有高电流增益和......
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日期：2023-04-14 阅读量：
MGSF1N03LT1G金属氧化物半导体场效应管资料
MGSF1N03LT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）产品代码。它是一款具有低漏电流和快速开关特性的功率MOSFET，可用于直流至高频的应用。以下是MGSF1N03LT1G的一些规格参数：最大漏极电压：30伏最大漏极电流：1.3安培低漏电流：1微安（典型值）......
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日期：2023-04-14 阅读量：
LP2951ACDMR2G电压稳压器IC（集成电路）参数资料
LP2951ACDMR2G是一款由ON Semiconductor生产的电压稳压器IC（集成电路）产品代码。它是一款精密、低压差的正稳压器，可以提供1.23V至30V的输出电压范围。以下是LP2951ACDMR2G的一些规格参数：工作电压范围：2.5伏至30伏输出电压范围：1.23伏至30伏最大输出电流：100毫安低压......
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日期：2023-04-14 阅读量：
BSZ100N03LSG汽车芯片中文资料参数
BSZ100N03LSG是一款N沟道MOSFET晶体管，由ROHM半导体公司生产。它采用了先进的MOSFET技术和封装，具有低导通电阻、高开关速度和优异的电气性能，可广泛应用于各种功率电子设备和系统中。以下是BSZ100N03LSG的主要规格参数：额定电压：30V额定电流：100A导通电阻：3.8mΩ（最大值）封装：T......
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日期：2023-04-12 阅读量：
MURA110T3G快恢复二极管电源转换器中文资料
MURA110T3G是一款快恢复二极管，适用于高频电源转换器、电源逆变器、开关电源、逆变器等应用。该器件由ON Semiconductor公司生产，它的主要特点是低反向漏电流、快速恢复时间和高可靠性。以下是MURA110T3G的主要规格参数：最大正向电压：1V最大反向电压：100V平均整流电流：1A最大峰值反向电流：4......
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日期：2023-04-11 阅读量：
LE25U20AMB-AH有2MB存储容量的25系列SPI NOR闪存器件
LE25U20AMB-AH是绿色洲际（Greenliant）公司推出的一款25系列SPI NOR闪存器件。它具有2MB的存储容量，可以通过SPI接口与MCU、MPU等设备通信，提供快速、可靠的数据存储和读取解决方案。以下是LE25U20AMB-AH的主要规格参数：存储容量：2MB封装类型：8引脚SOIC、8引脚DFN工......
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日期：2023-04-11 阅读量：
ESD5Z5.0T1G低容量双向ESD保护二极管中文资料
ESD5Z5.0T1G是一款低容量双向ESD保护二极管，由ON Semiconductor推出。以下是ESD5Z5.0T1G的规格参数：低容量双向ESD保护二极管封装类型：SOD-523工作电压范围：5V静态工作电压：7V最大允许电流：1A快速反应时间：小于1纳秒ESD5Z5.0T1G采用低容量双向ESD保护二极管结构......
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日期：2023-04-11 阅读量：
BAT54XV2T1G安森美双向二极管中文资料
BAT54XV2T1G是一款由On Semiconductor推出的双向二极管器件，采用SOT-23封装，适用于表面贴装应用。它的特点包括低反向漏电流、快速开关速度、可逆性等，广泛应用于电源管理、信号传输和保护电路中。以下是BAT54XV2T1G的规格参数：双向二极管封装类型：SOT-23正向电压最大值：30V正向电流......
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日期：2023-04-11 阅读量：
1SMA5913BT3G单向TVS二极管规格参数
1SMA5913BT3G是一款单向TVS二极管，其正向工作电压为5V。它能够在电压峰值和瞬变事件时提供有效的保护，避免敏感电子元件受到损害。该二极管的封装为SOD-123，可以在表面贴装电路板上使用，非常适合于高密度的电路板应用。此外，它还具有快速响应时间和低反向漏电流的优点。规格参数：正向工作电压：5V极限工作电压：......
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日期：2023-04-11 阅读量：
NSS60600MZ4T1G双极（BJT）单双极晶体管参数资料
技术参数品牌：Onsemi型号：NSS60600MZ4T1G数量：6666类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个制造商：onsemi产品状态：在售晶体管类型：PNP电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值......
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日期：2023-03-30 阅读量：
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