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SAK-TC264D-40F200N BC英飞凌汽车芯片中文参数
SAK-TC264D-40F200N BC,英飞凌汽车MCU,32位单片机SAK-TC264D-40F200N BC,英飞凌汽车MCU,32位单片机•具有两个CPU核的高性能微控制器•一个32位超级标量TriCore CPU(TC1.6P),具有以下功能:–卓越的实时性能–强大的比特处理能力–完全集成的DSP功能–乘法......
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日期:2023-02-23 阅读量:676
IPD90N04S4-03英飞凌汽车功率芯片中文资料
特征描述N 通道 - 增强模式通过汽车 AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260C175C 的工作温度环保封装(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试优势低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率稳固的封装,出色的品质,高可靠性优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级潜在应用OptiMOS-T 40V 适......
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日期:2023-01-09 阅读量:530
IPC50N04S5L5R5ATMA1英飞凌功率器件中文资料
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPC50N04S5L5R5ATMA1封装:TDSON-8批号:21+数量:9536描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 ......
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日期:2022-12-30 阅读量:810
IRFP4110PBF功率MOSFET场效应管批发采购
技术参数品牌:Infineon Technologies型号:IRFP4110PBF封装:TO-247批次:21+数量:2000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏......
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日期:2022-12-30 阅读量:914
AIKW50N65RF5英飞凌功率器件汽车芯片参数
用于e-Mobility应用的THD封装中的混合功率分立和SiC功率技术冷却SiC™ 肖特基二极管可为车载充电器、PFC、DC-DC和DC-AC等快速切换汽车应用提供经济高效的性能提升。一流的快速开关IGBT与非常可靠的SiC二极管的结合为硬开关拓扑结构建立了完美的性价比权衡。由于无Qrr单极CoolSiC™ 肖特基二......
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日期:2022-12-30 阅读量:926
IPB120P04P4-04英飞凌电源IC芯片中文资料
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPB120P04P4-04封装:GeSi=Trust批号:21+数量:9411制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PG-TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿......
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日期:2022-12-23 阅读量:997
TLE5012BE1000磁性角度传感器中文资料
XENSIV公司™ - TLE5012B E1000用于转向角测量的磁性角度传感器TLE5012B是一种360角传感器,可检测磁场的方向。这是通过使用单片集成巨磁阻(iGMR)元件测量正弦和余弦角分量来实现的。这些原始信号(正弦和余弦)在内部进行数字处理,以计算磁场(磁体)的角度方向。TLE5012B是预校准传感器。校......
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日期:2022-12-23 阅读量:790
IPD90N04S4-03英飞凌汽车芯片中文参数
技术参数品牌:INFINEON型号:IPD90N04S4-03封装:TO-252批号:22+数量:28000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连......
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日期:2022-12-23 阅读量:513
IRFP4110PBF汽车芯片中文参数
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFP4110PBF封装:N/A批号:2123+数量:210494制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1......
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日期:2022-12-23 阅读量:722
AUIRS21814STR汽车栅极驱动 IC中文资料
技术参数品牌:infineon型号:AUIRS21814STR批号:21+数量:16000类别:集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器制造商:Infineon Technologies驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET电压 - 供电:10V ~ 20V逻辑电压 - ......
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日期:2022-12-23 阅读量:903
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