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BC847B,215表面安装通用晶体管-行业资讯
技术参数品牌：Nexperia(安世型号：BC847B,215数量：10000RoHS：是产品种类：电子元器件最小工作温度：-20C最大工作温度：130C最小电源电压：4V最大电源电压：6V长度：7.8mm宽度：5.1mm高度：1.7mm一般说明：小型SOT23(TO-236AB)、非常小型SOT323SC-70)或超......
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日期：2024-01-08 阅读量：
NSVBAT54HT1G肖特基二极管与整流器-型号参数
技术参数品牌：ON/安森美型号：NSVBAT54HT1G封装：SOD-323批号：22+数量：6000制造商：ON Semiconductor产品种类：肖特基二极管与整流器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOD-323-2If - 正向电流：200 mAVrrm - 重复反向电压：30 VVf - ......
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日期：2024-01-05 阅读量：
OPA2301AIDR高速运算放大器-型号参数
技术参数品牌：TI/德州仪器型号：OPA2301AIDR封装：SOP8批号：22+数量：5500制造商：Texas Instruments产品种类：高速运算放大器RoHS：是系列：OPA2301通道数量：2 ChannelGBP-增益带宽产品：150 MHzSR - 转换速率 ：80 V/us电压增益 dB：106 d......
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日期：2024-01-05 阅读量：
LMV324IPWRG4运算放大器-型号参数
技术参数品牌：Texas Instruments型号：LMV324IPWRG4封装：8-SOIC批号：18+数量：8798制造商：Texas Instruments产品种类：运算放大器 - 运放RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TSSOP-14电源电压-最大：5.5 V每个通道的输出电流：160 mA......
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日期：2024-01-05 阅读量：
TPA3124D2PWPR音频放大器-型号参数
技术参数品牌：TI型号：TPA3124D2PWPR封装：TSSOP批号：2020+数量：15000制造商：Texas Instruments产品种类：音频放大器RoHS：是系列：TPA3124D2类：Class-D输出功率：10 W安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：HTSSOP-24音频 - 负载阻抗：8 Ohm......
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日期：2024-01-05 阅读量：
MC74ACT541DWR2G缓冲器和线路驱动器-型号参数
技术参数品牌：ON/安森美型号：MC74ACT541DWR2G数量：2085制造商：ON Semiconductor产品种类：缓冲器和线路驱动器RoHS：是输入线路数量：8 Input输出线路数量：3 Output极性：Non-Inverting高电平输出电流：- 24 mA低电平输出电流：24 mA静态电流：8 uA......
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日期：2024-01-05 阅读量：
FDD8447L分立半导体产品 晶体管行业资讯
技术参数品牌：ON 安森美型号：FDD8447L封装：TO252批号：20+数量：22500类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：onsemi系列：PowerTrench®FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：40 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.2A（Ta），5......
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日期：2024-01-04 阅读量：
BTS5090-1EJA电源开关 IC - 配电-行业资讯
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：BTS5090-1EJA封装：SOP8批号：21+数量：510制造商：Infineon产品种类：电源开关 IC - 配电RoHS：是输出端数量：1 Output输出电流：3 A电流限制：20 A导通电阻—最大值：90 mOhms运行时间—最大值：230 us空闲时间—最大值：......
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日期：2024-01-04 阅读量：
NTJD4401NT1G场效应管 ON(安森美)-行业资讯
技术参数品牌：ON型号：NTJD4401NT1G封装：SOT-363批号：22+数量：10000制造商：ON Semiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SC-88-6通道数量：2 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：20 VId-......
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日期：2024-01-04 阅读量：
MGSF1N03LT1G电源管理电路-行业资讯
技术参数品牌：ON型号：MGSF1N03LT1G封装：SOT-23批号：22+数量：10000制造商：ON Semiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SOT-23-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30 VId-......
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日期：2024-01-04 阅读量：
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