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NCV3063DR2G电源管理芯片详细参数
技术参数品牌：ON型号：NCV3063DR2G封装：SOT-23批号：21+数量：1500类别：集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器制造商：onsemi功能：升压，降压输出配置：正或负拓扑：降压，升压输出类型：可调式输出数：1电压 - 输入（最小值）：3V电压 - 输入（最大值）：40V电......
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日期：2023-03-17 阅读量：
SZESD7551N2T5G贴片三极管ON(安森美)中文资料
ESD7551设计用于保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。出色的箝位能力，低电容，低泄漏，和快速响应时间，使这些部件成为ESD保护的理想选择董事会空间非常宝贵的设计。因为它很低电容，该部件非常适合用于高频设计例如USB 2.0高速和天线线路应用。特征•超低电容（最大0.35 pF）•低箝位电压•支座V电......
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日期：2023-03-16 阅读量：
FDC5614P分立半导体产品 晶体管规格参数
技术参数品牌：ONSEMI型号：FDC5614P封装：BULK批号：22+数量：9000类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：onsemi系列：PowerTrench®FET 类型：P 通道漏源电压（Vdss）：60 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）驱动电压（最大......
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日期：2023-03-09 阅读量：
MC33078DR2G仪器，运算放大器，缓冲器原装现货
MC33078/9系列是一系列高品质单片采用双极技术的放大器高质量音频和数据信号处理的性能概念应用。该系列采用了高频PNP输入晶体管，以产生表现出低输入电压的放大器具有高增益带宽乘积和转换速率的噪声。所有NPN输出级无死区交叉失真，输出大电压摆动，良好的相位和增益裕度，低开环高频率输出阻抗和对称源和汇AC频率性能。MC......
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日期：2023-03-08 阅读量：
MBRS340T3G整流器 单二极管详细资料
这些器件在大面积上采用肖特基势垒原理金属到硅功率二极管。最先进的几何特征具有氧化物钝化和金属覆盖层的外延结构联系非常适合于低压、高频整流，或作为表面安装的续流和极性保护二极管紧凑尺寸和重量受到限制的应用。技术参数品牌：ON/安森美型号：MBRS340T3G封装：DO-214AB批号：20+数量：20000制造商：ons......
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日期：2023-03-08 阅读量：
LM337D2TR4G电源管理（PMIC） 稳压器 - 线性中文参数
技术参数品牌：ON安森美型号：LM337D2TR4G封装：TO-263-2批号：21+数量：10000类别：集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - 线性制造商：onsemi产品状态：在售输出配置：负输出类型：可调式稳压器数：1电压 - 输入（最大值）：-40V电压 - 输出（最小值/固定）：-1.2V电压 - 输出......
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日期：2023-02-25 阅读量：
LM317LDR2G电源管理（PMIC） 稳压器 - 线性中文资料
技术参数品牌：ON型号：LM317LDR2G封装：SOP批号：20+数量：21142类别：集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - 线性制造商：onsemi输出配置：正输出类型：可调式稳压器数：1电压 - 输入（最大值）：40V电压 - 输出（最小值/固定）：1.2V电压 - 输出（最大值）：37V电流 - 输出：1......
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日期：2023-02-25 阅读量：
SSVMUN5312DW1T2G双极晶体管阵列，预偏置中文资料
SSVMUN5312DW1T2G技术参数品牌：ON/安森美型号：SSVMUN5312DW1T2G封装：SOT-363批号：2022+数量：150000制造商：ON Semiconductor产品种类：双极晶体管 - 预偏置RoHS：是系列：MUN5312DW1商标：ON Semiconductor产品类型：BJTs -......
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日期：2023-02-23 阅读量：
NCV213RSQT2G仪器，运算放大器，缓冲器汽车芯片
技术参数品牌：ON/安森美型号：NCV213RSQT2G封装：SC-70-6批次：20+数量：80000制造商：ON Semiconductor产品种类：电流灵敏放大器RoHS：是通道数量：1 ChannelVcm - 共模电压：- 0.3 V to 26 VCMRR - 共模抑制比：97 dBIb - 输入偏流：60......
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日期：2023-01-09 阅读量：
NRVBS540T3G分立半导体产品 单二极管汽车芯片
技术参数品牌：ON 安森美型号：NRVBS540T3G批号：21+数量：10000制造商：ON Semiconductor产品种类：肖特基二极管与整流器RoHS：是封装 / 箱体：SMC-2系列：MBRS540资格：AEC-Q101单位重量：228 mgMBRS540T3采用肖特基势垒原理区域金属到硅功率二极管。最先进......
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日期：2023-01-09 阅读量：
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