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IPB80N04S4-03汽车功率芯片规格参数资料
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPB80N04S4-03封装：TO-263批号：22+数量：10000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TO-263-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：40 V......
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日期：2023-03-25 阅读量：
IRL100HS121分立半导体产品 晶体管参数资料
技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IRL100HS121封装：NA批号：23+数量：5000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：PQFN-6晶体管极性：N-Channel通道数量：1 ChannelVds-漏源极击穿电压：100 VId-连续漏极......
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日期：2023-03-25 阅读量：
IR3556MTRPBF电源管理（PMIC） 全半桥驱动器参数
技术参数品牌：Infineon(英飞凌)型号：IR3556MTRPBF封装：NA批号：23+数量：5000制造商：Infineon产品种类：门驱动器RoHS：是湿度敏感性：Yes单位重量：440.128 mgIR3556集成PowIRstage®包含共封装的同步降压栅极驱动器IC具有控制和同步MOSFET以及肖特基二极......
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日期：2023-03-25 阅读量：
FM25CL64B-GTR集成电路（IC）存储器参数资料
技术参数品牌：CYPRESS型号：FM25CL64B-GTR封装：SOP8批号：两年内数量：10000类别：集成电路（IC） 存储器制造商：Cypress Semiconductor Corp系列：F-RAM™存储器类型：非易失存储器格式：FRAM存储容量：64Kb（8K x 8）存储器接口：SPI时钟频率：20 MH......
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日期：2023-03-24 阅读量：
IPD50P04P4-13q汽车芯片功率器件原装规格参数
特征描述P 通道 - 正常电平 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260C175C 的工作温度环保封装（符合 RoHS）100% 经过雪崩测试优势高边驱动无需电荷泵。简单的接口驱动电路40V 时， RDSon 为世界极低值极高的冲击电流能力极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率稳固的封装，出色......
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日期：2023-03-24 阅读量：
IPLU300N04S4-R8英飞凌汽车芯片规格参数
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPLU300N04S4-R8封装：HSOF-8批号：21+数量：20600制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：H-PSOF-8通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：40......
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日期：2023-03-17 阅读量：
CY14B116L-ZS25XI集成电路（IC） 存储器中文参数
技术参数品牌：CYPRESS型号：CY14B116L-ZS25XI封装：21+批次：TSSOP-44数量：8690类别：集成电路（IC） 存储器制造商：Cypress Semiconductor CorpProduct Status：在售存储器类型：非易失存储器格式：NVSRAM存储容量：16Mb（2M x 8）存储器......
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日期：2023-03-14 阅读量：
IPW65R080CFDA分立半导体产品 晶体管规格参数
技术参数品牌：INFINEON型号：IPW65R080CFDAFKSA1封装：原厂封装批次：21+数量：4680制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：Through Hole封装 / 箱体：TO-247-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：6......
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日期：2023-03-08 阅读量：
BTM7740G电源管理（PMIC） 全半桥驱动器中文资料
BTM7740G是TrilithIC系列的一部分，在一个封装中包含三个管芯：一个双高端开关以及两个低压侧开关。这三个垂直DMOS芯片的漏极安装在分离的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此BTM7740G可用于H桥以及任何其他配置BTM7740G的双高侧和两个低侧开关均在SMART SIPMOS®技术将低RDS ON垂直......
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日期：2023-03-08 阅读量：
IPD90P04P4L-04英飞凌汽车芯片中文参数
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IPD90P04P4L-04封装：原厂原封批号：22+数量：3500制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TO-252-3通道数量：1 Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：40 VId......
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日期：2023-03-06 阅读量：
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